FET的基本参数是什么？(1)场效应晶体管的基本参数
夹断电压UP，又称截止栅压UGS(OFF)，是耗尽型结场效应晶体管或耗尽型绝缘栅场效应晶体管的源极接地时，使漏源输出电流降至零所需的栅源电压UGS。
开启电压UT，又称阀电压，是指当漏源电压UDS为一定值时，能使增强型绝缘栅场效应晶体管的漏源开始导通的最小栅源电压UGS。
饱和漏电流IDSS是栅源电压UGS为零，漏源电压UDS大于夹断电压Up时耗尽型FET的漏电流。
击穿电压萌芽和缺陷
A.漏源击穿电压芽。又称漏源耐压，是场效应晶体管的漏源电压UDS增大到一定值，使漏电流ID突然增大，不受栅极电压控制时的最大漏源电压。
B.栅源击穿电压缺陷。这是场效应晶体管的栅极和源极之间可以承受的最大工作电压。
耗散功率PD也叫漏极耗散功率，大约等于漏极-源极电压UDS和漏极电流ID的乘积。
漏电流IGSS是场效应晶体管的栅-沟道结加反向偏压时产生的反向电流。
DC输入电阻RGS又称栅源绝缘电阻，是场效应晶体管栅-沟道在反向偏置电压下的电阻，约等于栅-源电压UGS与栅电流之比。
漏源动态电阻RDS是漏源电压UDS的变化量与漏电流ID的变化量之比，一般大于几千欧姆。
低频跨导gm又称放大特性，是栅极电压UG控制漏极电流ID的能力，类似于三极管的电流放大系数。
极间电容是场效应管极间分布电容形成的杂散电容。栅源电容(输入电容)CGS和栅漏电容cGD的电容为1~3pF，漏源电容CDS的电容为0.1~1pF。
FET 1的主要参数。开启电压UT (MOSFET)
通常，导电沟道刚形成、漏电流ID出现时对应的栅源电压称为导通电压，用UGS(th)或UT表示。
开启电压UT是MOS增强晶体管的一个参数。当栅源电压UGS小于导通电压的绝对值时，FET不能导通。
2.夹断电压上升(JFET)
当UDS为固定值(例如10V)，ID等于小电流(例如50mA)时，施加在栅极和源极之间的电压就是夹断电压。当UGS=up时，漏极电流为零。
3.饱和漏极电流IDSS (JFET)
饱和漏极电流IDSS是在UGS=0的条件下FET被预夹断时的漏极电流。IDSS FET可以输出的最大电流。
4.DC输入电阻RGS
当漏极和源极短路并且栅极和源极被施加电压时，DC输入电阻RGS是栅极和源极之间的DC电阻。
结型场效应晶体管：RGS》107MOS晶体管：RGS 109 ~ 1015。
5.跨导Gm
漏电流的微变量与栅源电压的微变量之比是GM= ID/ UGS。它是衡量栅源电压控制FET漏电流能力的一个参数。Gm相当于晶体管的hFE。
6.最大消耗功率
最大漏极功耗PD=UDSID，相当于三极管的PCM。
部分结场效应晶体管的主要参数见表3-9。一些N沟道耗尽型MOS场效应晶体管的主要参数如表3-10所示。部分增强型MOS场效应晶体管的主要参数见表3-11。
