整流二极管功能具有明显的单向导通性。整流二极管可以由半导体锗或硅制成。硅整流二极管可以有效地实现高击穿电压、低反向漏电流和优异的高温性能。整流二极管的作用是利用PN结的单向导电性，将交流电转换成脉动直流电。整流二极管电流较大，大部分被表面接触材料封装。那么整流二极管的主要作用是什么呢？下面详细介绍整流二极管在边肖中的作用。
1、正向整流二极管最突出的功能是它的正向特性。当整流二极管加直流电压时，正向特性初始部分的直流电压很小，不能有效地克服PN结中电场的阻断作用。当整流二极管的正向电流几乎为零时，这一段称为死区，不能使二极管导通的直流电压称为死区电压。当整流二极管的直流电压大于死区电压时，PN结内的电场被有效克服，整流二极管正向导通，电流随着电压的升高而迅速上升。在正常电流范围内，整流二极管导通时端电压几乎保持不变。
2、反向整流二极管动作的反向是整流二极管施加的反向电压不超过一定范围时，电流少数载流子漂移通过整流二极管形成的反向电流。由于整流二极管的作用，反向电流非常小，因此整流二极管处于关断状态。整流二极管的反向饱和电流受温度影响。硅整流二极管的反向电流一般比锗整流二极管小得多。小功率硅整流二极管的反向饱和电流在nA量级，小功率锗整流二极管的反向饱和电流在 A量级.当整流二极管的温度升高时，半导体被热激发，少数载流子的数量也会增加。
3、反向击穿整流二极管作用中的反向击穿按机理原理可分为齐纳击穿和雪崩击穿。在整流二极管掺杂浓度较高的情况下，整流二极管的势垒区宽度很小，反向电压较大，破坏了势垒区的共价键结构，使电子脱离共价键，产生电子空穴。整流二极管的另一种击穿是雪崩击穿。当整流二极管的反向电压增大到较大值时，外加电场会加快电子漂移速度，使整流二极管共价键中的价电子发生碰撞，将价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。
