半导体测试设备1、椭圆偏振仪
测量透明和半透明薄膜厚度的主流方法是使用偏振光源发射激光。当光在样品中反射时，会产生椭圆偏振。椭偏仪是一种通过测量反射得到的椭圆偏振并结合已知的输入值来测量光学薄膜厚度的无损非接触技术。在一些需要实时测试的工艺步骤中，如注入、刻蚀和平坦化，椭偏仪可以直接集成到工艺设备中，以确定工艺中薄膜厚度的工艺终点。
2、四个探针
测量不透明薄膜的厚度。因为不透明膜不能用光学原理测量，所以会用四探针仪测量方块电阻，根据薄膜厚度和方块电阻的关系间接测量薄膜厚度。方形电阻可以理解为硅片上方形薄膜两端之间的电阻，与薄膜的电阻率和厚度有关，与方形薄膜的大小无关。四探针：将四个等距离放置在一条直线上的探针依次与硅片接触，在外面的两个探针之间施加一个已知的电流，同时测量里面的两个探针之间的电位差，即可得到方块电阻值。
3、热波系统
测量掺杂浓度。热波系统通过测量聚焦在硅片表面同一点上的两束激光的反射率变化来计算杂质粒子的注入浓度。在该系统中，激光束通过氩激光器产生热波，使硅片表面温度升高，热的硅片会引起另一束He-Ne激光束的反射系数发生变化，反射系数与杂质粒子注入硅片产生的晶体缺陷点数成正比。因此，用于测量杂质粒子浓度的热波信号检测器可以将晶格缺陷的数量与掺杂浓度等注入条件相关联，并描述离子注入工艺后薄膜中杂质的浓度值。
4、相干检测显微镜
注册精密测量设备。相干检测显微镜主要是利用相干光的干涉原理，将相干光的相位差转化为光程差。它可以获得硅片表面沿硅片垂直方向的图像信息，并可以通过相干光的干涉图样分辨出样品内部的复杂结构，增强了CMP后低对比度图样的成像能力。
5、光学显微镜
快速定位表面缺陷。光学显微镜利用光的反射或散射来检测晶片表面的缺陷。因为缺陷会导致硅片表面不平整，会对光表现出不同的反射和散射效果。根据从硅晶片表面接收的光信号，光学显微镜可以定位缺陷的位置。光学显微镜具有高速成像和低成本的特点，是当前技术下主要的缺陷检测技术。
6、扫描电子显微镜
缺陷的精确成像。扫描电镜的放大倍数可达百万倍，能提供更小缺陷的信息，放大性能明显高于光学显微镜。扫描电子显微镜用波长极短的电子束扫描硅片，通过收集被激发和散射的二次电子和散射电子在硅片表面形成图案，获得不同材料间显著的成分对比。
