场效应晶体管的工作原理场效应晶体管的工作原理如图4-24所示(以结型N沟道晶体管为例)。因为栅极G与负偏置(-UG)相连，所以在G的左侧附近形成了耗尽层。
当负偏置(-UG)的绝对值增大时，耗尽层增大，沟道减小，漏极电流ID减小。当负偏置的绝对值(UG)减小时，耗尽层减小，沟道增大，漏极电流ID增大。可以看出，漏极电流ID受栅极电压控制，所以场效应晶体管是压控器件，即通过输入电压的变化来控制输出电流的变化，从而达到放大的目的。
像双极晶体管一样，当场效应晶体管用于放大等电路时，其栅极也要偏置。
结型场效应晶体管的栅极应加反向偏压，即N沟道晶体管加负栅压，P沟道晶体管加正栅爪。增强型绝缘栅场效应晶体管应施加正向栅极电压。耗尽型绝缘栅场效应晶体管的栅极电压可以是正的、负的或“0”，如下表所示。添加偏倚的方法包括恒定偏倚法、自给偏倚法和直接耦合法。
以N沟道结型场效应晶体管为例，说明了N沟道结型场效应晶体管的工作原理。如图所示。当在漏极D和源极S之间施加电源时，在N型沟道中产生从漏极流向源极的电流ID。根据PN结的特性，如果在栅极G和源极S之间施加负电压eg，PN结的宽度会增大，负电压越大，PN结越宽，导致沟道变窄，沟道电阻增大。因此，可以通过改变偏置电压UGS来控制漏极电流ID的大小，这里体现了FET的电压控制功能。
当EG的增加超过UP(预夹断电压)时，沟道变窄到几乎消失，此时我们称之为夹断。它的大小受沿沟道方向连续电压降的影响，所以沟道各点与栅极G的电位差不相等，ED=0，
通常结型场效应晶体管的栅极和源极总是处于反向偏置状态，因此其输入电阻很高，可达106 ~ 108。
场效应管的作用一、场效应管可用于放大。因为FET放大器的输入阻抗很高，所以耦合电容可以很小，所以不需要使用电解电容。
二、 FET的高输入阻抗非常适合阻抗变换。它常用于多级放大器输入级的阻抗变换。
三、 FET可用作可变电阻器。
四、 FET可以方便地用作恒流源。
五、 FET可用作电子开关。
MOS管、场效应管。具有内阻低、耐压高、开关速度快、雪崩能量高的特点。设计电流跨度为1A-200A，电压跨度为30V-1200V。我们可以根据客户的不同应用领域和方案来调整电参数，从而提高客户产品的可靠性、整体转换效率和产品的价格竞争优势。
