1电容的定义我们第一次接触电容是在中学物理中关于电路的部分。电容器的定义是：两个相互靠近的导体，中间夹着一层不导电的绝缘材料，构成电容器。当在电容器的两个极板之间施加电压时，电容器将存储电荷。电容器的电容在数值上等于导电板上的电荷与两板间电压之比。电容器电容的基本单位是法拉(f)。在电路图中，字母C通常用来表示容性元件。
从这个定义，电容值的大小：
那么电容就是指在给定的电位差下，自由电荷的储存量，代表容纳储存电荷的能力。一般来说，电荷在电场中会被迫运动。当导体之间存在介质时，会阻碍电荷运动，使电荷在导体上积累，造成电荷的累积存储。储存的电荷称为电容。
根据麦克斯韦方程中的高斯电场定律，通过任何封闭空间的电通量都等于该空间中的总电量。
电压是两块板之间的电位差，即电荷Q沿电场线从A点移动到B点所造成的能量损失，即：
因此，电容的表达式也可以表示为：
从上式可以看出，电容与电荷量或电势无关，只与电场强度有关。从物理上讲，电容是在电力系统中储存电能或等效电通量的能力。
然后我们回到电容的原始定义，C=Q/(V1-V2)。
上述公式是由电场强度恒定的均匀电场导出的电容公式。其中UA-UB是两个平行板之间的电位差，r是相对介电常数，K是静电力常数，S是面对两个板的面积，D是两个板之间的距离。由此可以得出一个有意义的结论：电容与电容面积和介电常数e成正比，与电容的距离d成反比。也就是说，面积越大，介电常数越高，电容越大，距离越远，电容越小。
任何静电场都是由许多电容器组成的。有静电场就有电容，电容用静电场来描述。一般认为，一个孤立的导体构成一个无穷大的电容器，导体接地相当于连接到无穷大，整体连接到大地。然而，在RF电路中，该电容器的容抗值不是恒定的。正如我们在《详解射频电路中的电阻，电容和电感》中介绍的，电容器首先表现为容抗特性，然后在谐振点表现为容抗和感抗平衡，再表现为感抗特性。
2号电容器单位电容的单位：法拉，简称法F，这是为了纪念伟大的老师法拉第。但是法拉是一个大单位。它有多大？根据国际单位制的定义，1法拉等于每公斤每平方米四分之一安培的平方。
当1法拉电容器上的电压以每秒1伏(1 V/s)的速率变化时，将产生1安培的电流。如果1法拉的电容器上有1库仑(1C)的电荷，就会产生1伏的电位差。
在射频电路中使用电容时，这个法拉就更大了，实际应用中几乎没有可以用这么大单位法拉直接测量的电容。
因此，常用的电容单位有毫法(mF)、微法(F)、纳法(nF)和皮法(pF)，它们之间的换算关系如下：
1法拉(华氏度)
=103毫法拉
=10 ^ 6微法(F)
=10 ^ 9纳法
=10 12皮法(pF)
3号集成电容器
电容器的种类很多，可分为CBB电容器(聚乙烯)、聚脂电容器、陶瓷电容器、云母电容器、单片电容器、电解电容器、钽电容器等。在本书中，详细介绍了一种利用MOS晶体管的栅极电容实现的高密度电容，但其电容值是非线性的，如下图所示，电容与栅极vo的仿真曲线
本文介绍了NMOS的电容在积累区或反型区达到最大值，近似等于Cox。但在这两个区域中，电容值最大。但在反型区，器件的偏置电压要大于阈值电压，不适合低电源电压的场合，所以有下图所示的积累型MOS电容，其电容特性曲线如下图所示。
然后还有一种电容形式是CMOS工艺中比较常见的，那就是梳状电容，因为在CMOS工艺中，金属线可以靠在一起获得很强的边缘电场。
书中详细介绍了CMOS相关工艺制作的梳状电容。在工艺允许的最小空间内，取宽度最小的金属线形成梳状结构，两端相连的多层金属放在各自顶层，进一步增加密度。
此外，MOS的栅电容与梳状电容相连，进一步提高了电场密度，增加了电容值。
今天到此为止。下次，我们继续学习射频元件的电感部分。责任编辑：抄送
