说起记忆，对于普通人来说可能没什么可说的。虽然是一台电脑中不可或缺的硬件，但只要容量足够大，对游戏和日常使用体验的影响是不言而喻的。

但对于DIY玩家来说，在缩小时序的同时刷新内存频率新高，才是他们一直追求的。

虽然3600MHz玩游戏可能比2400MHz内存高几帧，但是这个数字看着很舒服。

决定内存超频的因素主要有三个。一种是带CPU的IMC(内存控制器)，主要和IMC设计有关，和CPU构成一样。同一型号的每个处理器的IMC都会有物理差异。

其次是主板和主板BIOS，就看主板厂商的调整了；

最后，还要看记忆粒子。今天边肖就带大家了解一下主流的内存颗粒，也方便大家买到便宜好用的可以超频的内存。

记忆粒子有什么区别？

为什么记忆粒子之间会有物理差异？生产内存颗粒的厂家很多，应该很多DIY玩家都知道。

这里有一个简单的列表。目前消费市场90%的内存颗粒都是由梦龙、海力士、三星三大巨头生产的，分别来自美国和韩国。

另外还有南亚、华邦、力晶等* * *厂商，不过后面这些厂商现在主要生产服务器内存的颗粒，消费市场比较小。

内存粒子是DRAM芯片。每个厂商的技术研发能力不一样，芯片设计不一样，制造工艺不一样，那么生产出来的芯片质量自然也会不一样。

即使是同一个厂商生产的内存颗粒也会迭代发展。比如海力士的第一代DDR4内存颗粒，主要包括以MFR结尾的颗粒，比如H5AN8G8NMFR、H5AN4G8NMFR，被老百姓称为MFR颗粒。

这些粒子可以在2666MHz或者2400MHz的频率下稳定运行，但几乎没有超频潜力，疯狂的电压施加也无法成功。

随后，Hynix推出了以AFR为结尾的粒子。这一代粒子显著提高了超频性能，加压时频率显著提高。现在已经迭代发展到第三代CJR粒子。

目前主流的内存颗粒有哪些？

那么目前主流的内存颗粒有哪些呢？再说说厂家。

海力士

比如用海力士。先说海力士颗粒。

刚才我也说了，海力士第一代推广的DDR4内存颗粒是MFR颗粒(也叫海力士M-die)。在25nm工艺中，MFR颗粒稳定耐用，但几乎没有超频能力。现在在低频DDR4内存中比较常见。

但相比三星在粒子上出色的超频体质，海力士处于劣势。

为了改善这种情况，Hynix在2015年底推出了三种粒子，分别是H5AN8G6NAFR(8Gb)、H5an8GNAFR (8GB)、H5AN4G8NAFR(4Gb)和H5AN4G6NAFR(4Gb)，宣布了AFR粒子(又称Hynix A-die)的到来。

一般21nm工艺的AFR颗粒超频能力比MFR好，3200MHz施加电压也不难，但是体质不好，高频时的时序也很一般。

海力士CJR颗粒是SK海力士C-die颗粒，是继MFR和AFR之后的第三代8gb颗粒。

采用1X nm(一般为18nm)工艺，型号为“H5AN8G4NCJR”等带CJR后缀的粒子也称为CJR粒子。

CJR粒子身体素质好，更重要的是和这几年火起来的锐龙平台非常契合。上3600MHz很容易，所以成为了DIY玩家，尤其是AMD平台玩家的宠儿。

此外，海力士还推出了新一代的JJR(J-die)颗粒，但这种颗粒是为了取代之前的MFR和AFR颗粒，超频构造略逊于CJR颗粒。

简单总结一下，目前市面上主流的海力士颗粒中，CJR“JJR”AFR“的顺序是以体能为准。当然，也不排除一些身体素质好的特例可以犯下以下罪行。

猎户座腰带

早在DDR3时代，三星内存颗粒就非常优越，在DIY圈树立了口碑，DDR4时代也是如此。在这里，不得不提三星B-die。

三星B-die是DDR4时代超频的传奇，大部分都是20nm工艺制造，无数内存超频记录都是他完成的，是DIY玩家心中最好的粮食。

三星B-die非常兼容AMD和Intel，在Intel平台上达到4000MHz以上的频率是基本操作，时序还很低，很受玩家欢迎。

而我们常说的B模粒子，其实指的是K4A8G045WB、K4A8G085WB等5WB后缀系列的BCBP粒子。

这些粒子是专为旗舰内存挑选的，所以说体质好的应该叫专选B-die更准确。

其余普通B模虽然体质不错，但也不具备挑战超频记录的实力。还有一种带边角料的B模。这些是最糟糕的B-Dies。

不过可惜的是，去年三星宣布停产B-die颗粒，一代人的传奇就此终结。

现在市面上越来越难买到三星B-die颗粒的内存，有的内存厂商用它做旗舰产品，价格不菲。

三星A模和M模正在取代B模颗粒。新粒子提高了密度，具有更大的容量，这降低了成本，有利于制造单个32GB或更大的存储器。

三星称，A die的超级功率与B die相同甚至更好，容量更大，而M die则逊色。

但是这么好的颗粒度三星主要用在专业市场和服务器市场，消费市场还没到。可能要等到产能上去了，我们普通消费者才能接触到。

另外，目前市面上有C-die和E-die三星颗粒，这些体质都比较一般。

综上所述，我们先来讨论一下目前大家能买到的三星内存颗粒构成，特别是B模，常见的B模，剩B模，C模 E模，A模和M模就不提了，因为市面上没买过，也没测过。

镁光灯

之前DIY圈镁粒的存在感还是比较低的，一般稳定耐用，但是超频性能没有三星抢眼。

镁B-die是早期的DDR4颗粒，也是镁出货量较大的颗粒。这种颗粒稳定耐用，但是不要想着怎么超频，默认买就行了。

此外，镁光旗下的Spectek专门处理镁光检测不合格的降解颗粒。这些退化的内存颗粒会被打上Spectek的大s标志，称为大s颗粒。

大S粒子都是镁光的退化膜，但也有好有坏。

比如镁光生产频率为3200MHz的记忆粒子，将不符合要求的粒子降级到2400MHz标准进行销售。那你也不能说这些粒子是达不到3200MHz要求的垃圾粒子；

而一些大S粒子用低端内存筛选标准筛选，成品率极低。这些是垃圾颗粒。

所以大s颗粒鱼龙混杂，也是很多山寨内存芯片喜欢用的内存颗粒。不是专门看粒子模型的DIY玩家最好避开。

当然，随着时间的推移，以及海力士，镁有E-die很大的努力，推出了一批容易获得高频且关键价格不贵的粒子。就是最近火了，以5726MHz的成绩打破了DDR4内存超频记录。

镁E-die是17年底镁生产的颗粒，但在三星B-die停产前很少有人玩，直到19年才被多才多艺的DIY玩家发现。

在超频玩家手里，镁E-die超频到4000MHz不难，但是电压要提高的比较高，时序很难收窄。

虽然有一些瑕疵，但是最近镁E die还是比较受欢迎的，因为目前镁E die主要用在英瑞达的原厂内存上，最低也才200多，非常实惠，可以称之为平民法拉利。

不同类型的镁E-die颗粒也有物理差异。目前民间练的最好的是C9BJZ，其次是D9VPP，其他和普通B模没有明显区别。

镁光的颗粒构成如果按顺序排列，大概是E die E die C9BJZ》E die d 9 VPP和其他E dies B-dies s。

american federation of technical engineers 美国技术工程师联盟

一般情况下，内存颗粒表面是有其数量的，但是现在内存基本上都有一个马甲，普通消费者拆开马甲看颗粒是不现实的。

这时候更方便的方法就是通过软件Thaiphoon Burner，可以读取内存中的各种信息。下面教你怎么用。

百度下载软件后，直接打开，点击红框中的阅读，进入信息页面。

这是石泉生产的内存，用的是Hynix海力士颗粒。颗粒编号以CJR结尾，型号也表示C-die。显然，这种记忆是由海力士CJR颗粒制成的。

以此类推，这个内存就是镁光的D9VPP E-die。

这个内存是三星为BCPB设计的B-die。

但是，台风并不完全准确。基于其大数据估算，但也接近。想看的话记得把软件更新到最新版本会比较靠谱。

摘要

其实除了少部分DIY爱好者，记忆粒子的体质对大部分人都没有影响。大部分人买内存回去，默认用XMP很舒服。这篇文章也是给DIY爱好者看的，受众很小。

对于这部分发烧友，边肖最后给出了购买建议。

三星的B-die已经停产了，现在只存在于价格高的旗舰内存中，没必要太勉强。镁的C9BJZ是很好的替代品。

目前梦龙的英瑞达内存多采用C9BJZ，东平某平台运营的英瑞达ballistix 3000 MHz马甲条多采用C9BJZ颗粒。

目前这个内存也卖断货了，喜欢折腾的玩家可以关注一下。