场效应晶体管(FET)。其型号有3DJ、3DO、CS等。后面是序列号和规格号。其外形类似于常见的三极管(如图)，具有体积小、功耗低的特点，但两种晶体管的控制特性完全不同。普通三极管是通过控制基极电流来控制集电极电流的电流控制器件，输入阻抗低。场效应晶体管是一种利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的压控器件。场效应有几种，具有输入阻抗高、热稳定性好、易于集成等优点，广泛应用于晶体管的形状。
场效应晶体管根据导电机理的不同分为结型场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管。下面我们主要讨论结型场效应晶体管，并适当介绍绝缘栅场效应晶体管。
1.结型场效应晶体管
如果采用某种方法来控制半导体导电区的大小，使其电阻发生变化，就可以控制N型半导体中的电流。我们知道，PN结中的杂质离子大部分是不动的，载流子少，电阻率高。当施加反向电压时，PN结会变宽。如果在N型半导体的两侧制作两个PN结，改变反向电压，可以改变PN结的宽度，控制电子循环区域的大小，从而控制N型半导体中的电流强度。结型场效应晶体管就是根据这一基本导电原理制成的。
2.绝缘栅场效应晶体管
绝缘FET是指栅极、漏极和源极完全绝缘的FET，输入阻抗较高。目前应用最广泛的绝缘栅场效应晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS晶体管)，也有N沟道和P沟道(分别称为NMOS和PMOS)，每一种又可分为增强型和耗尽型。
